РФФИ объявляет конкурс на лучшие научные проекты по теме "Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем"

На конкурсный отбор должны быть представлены проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по следующим тематическим направлениям (рубрикатору конкурса) :

903.1. Физические принципы работы резистивной (RRAM) и сегнетоэлектрической памяти (FRAM) на основе традиционных и новых материалов c мемристорными свойствами.
903.2. Механизмы переключения элементов памяти на основе оксидов металлов, исследование влияния ростовых и внесенных дефектов на изменение сопротивления диэлектриков и определение их электронных свойств в различных состояниях мемристора.
903.3. Физико-химические факторы, препятствующие достижению высокого быстродействия, надежности, большому количеству циклов переключения и воспроизводимости основных электрических параметров мемристорных структур.
903.4. Моделирование  и разработка самосовмещенных с мемристором селекторных диодов, необходимых для создания матриц памяти терабитного масштаба.
903.5. Мемристорные структуры, не требующие стадии формовки.
903.6. Моделирование, проектирование и разработка архитектуры элемента памяти с самосовмещенным селектором и матрицы элементов памяти терабитного масштаба, включая трехмерную интеграцию.
903.7. Энергонезависимые многоуровневые элементы памяти на основе оксидов металлов, оксиде и фториде графена и других новых материалов.
903.8. Моделирование работы многоуровневых элементов памяти в качестве синапсов и разработка программного обеспечения для систем с механизмом параллельных вычислений, необходимых для создания нейроморфных сетей.

Код конкурса – «мк».

Срок реализации проекта: 3 года.

Размер гранта на реализацию проекта: от 3 миллионов до 6 миллионов рублей.

Дата и время начала подачи заявок: 15.01.2019 15.00 (МСК)
Дата и время окончания подачи заявок: 19.02.2019 23.59 (МСК)

Подробнее о конкурсе можно посмотреть на сайте или обращаться за дополнительной информацией в НИЧ ПГНИУ.